Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2039
Minta Penawaran
Indonesia
5109314Gambar EPC2039.EPC

EPC2039

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.725
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    EPC2039
  • Pabrikan / Merek
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    TRANS GAN 80V BUMPED DIE
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 2mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Teknologi
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paket Perangkat pemasok
    Die
  • Seri
    eGaN®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 6A, 5V
  • Power Disipasi (Max)
    -
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    Die
  • Nama lain
    917-1147-2
  • Suhu Operasional
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    12 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    210pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.4nC @ 5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    80V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Ta)
LQP02HQ2N7C02E

LQP02HQ2N7C02E

Deskripsi: FIXED IND 2.7NH 450MA 200 MOHM

Produsen: Murata Electronics
Persediaan

Review (1)

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar