Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2035
Minta Penawaran
Indonesia
709695Gambar EPC2035.EPC

EPC2035

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$1.11
10+
$0.974
25+
$0.863
100+
$0.752
250+
$0.654
500+
$0.557
1000+
$0.445
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    EPC2035
  • Pabrikan / Merek
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 800µA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Teknologi
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paket Perangkat pemasok
    Die
  • Seri
    eGaN®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 1A, 5V
  • Power Disipasi (Max)
    -
  • Pengemasan
    Original-Reel®
  • Paket / Case
    Die
  • Nama lain
    917-1099-6
  • Suhu Operasional
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    12 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    115pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.15nC @ 5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    60V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)
SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

Deskripsi: -40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.5V, 1

Produsen: SiTime
Persediaan

Review (1)

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar