Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > STI30NM60N
Minta Penawaran
Indonesia
5594274Gambar STI30NM60N.STMicroelectronics

STI30NM60N

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1000+
$6.994
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    STI30NM60N
  • Pabrikan / Merek
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    I2PAK
  • Seri
    MDmesh™ II
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    190W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Suhu Operasional
    150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2700pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    91nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)
H2BBG-10105-R4

H2BBG-10105-R4

Deskripsi: JUMPER-H1501TR/A2015R/H1501TR 5"

Produsen: Hirose
Persediaan

Review (1)

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar