Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > STB11N52K3
Minta Penawaran
Indonesia
2986349Gambar STB11N52K3.STMicroelectronics

STB11N52K3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    STB11N52K3
  • Pabrikan / Merek
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    D2PAK
  • Seri
    SuperMESH3™
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    510 mOhm @ 5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    125W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Nama lain
    497-11839-2
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1400pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    525V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 525V 10A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)
CRA12E083220RJTR

CRA12E083220RJTR

Deskripsi: RES ARRAY 4 RES 220 OHM 2012

Produsen: Dale / Vishay
Persediaan

Review (1)

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar