Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > APT11F80B
Minta Penawaran
Indonesia
6932034Gambar APT11F80B.Microsemi

APT11F80B

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
120+
$5.599
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    APT11F80B
  • Pabrikan / Merek
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-247 [B]
  • Seri
    POWER MOS 8™
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 6A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    337W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-247-3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    23 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2471pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    800V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)
DJT10F11-99PC

DJT10F11-99PC

Deskripsi: DJT10F11-99PC

Produsen: Agastat Relays / TE Connectivity
Persediaan

Review (1)

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar