Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2021
Minta Penawaran
Indonesia
193385Gambar EPC2021.EPC

EPC2021

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$8.94
10+
$8.049
25+
$7.333
100+
$6.618
250+
$6.081
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    EPC2021
  • Pabrikan / Merek
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 14mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Teknologi
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paket Perangkat pemasok
    Die
  • Seri
    eGaN®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 29A, 5V
  • Power Disipasi (Max)
    -
  • Pengemasan
    Original-Reel®
  • Paket / Case
    Die
  • Nama lain
    917-1089-6
  • Suhu Operasional
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    12 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1650pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    80V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 80V 90A (Ta) Surface Mount Die
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    90A (Ta)
SIT5000ACC8E-33VQ-19.200000T

SIT5000ACC8E-33VQ-19.200000T

Deskripsi: OSC XO 19.2MHZ VC

Produsen: SiTime
Persediaan

Review (1)

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar